Электронные приборы - Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике. Даны: классификации, параметры и характеристики существующих на рынке элементов твердотельной электроники, включая экспериментальные и опытные приборы микроволнового и оптического диапазонов на новых принципах и современных технологиях. Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах. Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора. Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.
Название: Электронные приборы Автор: Червяков Г. Г., Прохоров С. Г., Шиндор О. В. Издательство: Феникс Год: 2012 Страниц: 333 Формат: PDF Размер: 27,0 МБ ISBN: 978-5-222-19217-7 Качество: Отличное Серия или Выпуск: Высшее образование Язык: Русский
Содержание:
Введение 1. Основы физики полупроводников 1.1. Зонная структура полупроводников 1.2. Электронно-дырочный переход 1.3. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода 1.4. Вольт-амперная характеристика реального p-n-перехода 1.5. Контакты металла с полупроводником 1.6. Контакты между полупроводниками с одинаковыми типами проводимости 2. Диоды 2.1. Классификация диодов 2.2. Эквивалентная электрическая схема p-n-перехода 2.3. Выпрямительные диоды 2.4. Высокочастотные диоды 2.5. Импульсные диоды 2.6. Мезадиоды 2.7. Стабилитроны 2.8. Параметрический стабилизатор напряжения 2.9. Варикап 2.10. Диод Шоттки 2.11. Туннельный диод 2.12. Лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна 3. Биполярные транзисторы 3.1. Классификация 3.2. Общие сведения 3.3. Принцип работы транзистора 3.4. Три схемы включения транзистора 3.5. Вольт-амперные характеристики транзистора в схеме включения с общей базой 3.6. Эквивалентная электрическая схема транзистора с ОБ 3.7. Вольт-амперные характеристики транзистора с ОЭ 3.8. Транзистор как линейный четырехполюсник 3.9. Физические факторы, ограничивающие частотный диапазон транзистора 3.10. Разновидности биполярных транзисторов 3.11. Зависимость параметров транзисторов от режима и температуры 3.12. Работа транзистора в ключевом режиме 3.13. Структура и принцип действия тиристоров 4. Полевые транзисторы и ПЗС 4.1. Полевые транзисторы с управляющимр-n-переходом 4.2. МДП-транзисторы 4.3. Основные параметры МДП-транзистора 4.4. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью 4.5. Способы формирования видеосигнала 4.6. Приборы с зарядовой инжекцией 5. Биполярные и полевые СВЧ-транзисторы 5.1. Биполярные СВЧ-транзисторы 5.2. Полевые СВЧ-транзисторы 5.3. Сверхбыстродействующие транзисторы 5.4. Состояние и перспективы развития элементной базы и технологии полупроводниковой электроники 5.5. Приборы на квантово-размерных эффектах 6. Преобразовательные приборы 6.1. Полупроводниковые источники излучения 6.2. Светоизлучающие диоды 6.3. Лазеры 6.4. Электролюминесцентные и пленочные излучатели 6.5. Внутренний фотоэффект и фотоприборы 6.6. Термисторы с отрицательным температурным коэффициентом 6.7. Позисторы 6.8. Варисторы 6.9. Полупроводниковые гальваномагнитные эффекты и приборы 6.10. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы Заключение Тесты Приложение. Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току Список литературы
На ierixon.ru представлены учебники для разных классов, которые Вы можете скачать понравившийся учебник себе на компьютер. Здесь вы найдете последние новинки учебных пособий, а также всегда можете приобрести учебники уже вышедшие в продажу. Все учебники расположенные на сайте представлены абсолютно бесплатно и в ознакомительных целях. Также все пособия в хорошем качестве.
